Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • 10N50F1D, 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes

    Brand Intersil

    
    Подробнее
  • 2A200HB12C2F,

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • 2A300HB12C2F, 2A300HB12C2F

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • 2A400HB12C2F,

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • 2ED300C17SROHS, Gate Drivers HALFBRIDGE DRV 30A DC-DC 1700V

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • 2ED300C17STROHS,

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • 2MBI100VA-120-50, Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555000mW 7Pin

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI150VA-060-50, IGBT MODULE (V series) 600V / 150A / 2in one package

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI150VA-120-50, Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 785000mW 7Pin

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI200VA-060-50, Dual IGBT Module 200A 600V 650ns

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI200VH-120-50, Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1110000mW 7Pin

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI300VB-060-50, Dual IGBT Module V Series 600V 300A

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI300VH-120-50, FUJI ELECTRIC 2MBI300VH-120-50 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 300A, 1.2kV, 1.11kW, Module

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI400VB-060-50, IGBT MODULE (V series) 600V / 400A / 2in one package

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI450VH-120-50, 2 Pack IGBT VH-series, 450A, 1200V

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI600VN-120-50, Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3750000mW 11Pin

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2MBI75VA-120-50, IGBT MODULE (V series) 1200V / 75A / 2in one package

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 2SK2225-80-E#T2, Trans MOSFET N-CH 1500V 2A 3Pin TO-PF Tube

    Brand Renesas Electronics

    
    Подробнее
  • 6MBP15XSF060-50, Igbt Dil 6-PACK, 15A, 600V With O/i, O/t

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • 6MBP20VSC060-50, Trans IGBT Module600V / 20A / IPM

    Brand FUJI

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 1 2 3 4 5