Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • IKA10N60TXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKA10N65ET6, Discrete 650V TRENCHSTOP™ IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKA15N60T, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14.7A 35700mW 3Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKA15N65ET6, Discrete 650V TRENCHSTOP™ IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKA15N65F5, INFINEON IKA15N65F5 IGBT Single Transistor, 15A, 1.6V, 33.3W, 650V, TO-220, 3Pins

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKA15N65H5, INFINEON IKA15N65H5 IGBT Single Transistor, 15A, 1.65V, 33.3W, 650V, TO-220, 3Pins

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB03N120H2, Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB06N60T, INFINEON IKB06N60T IGBT Single Transistor, 6A, 2.05V, 88W, 600V, TO-263, 3Pins

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB10N60T, INFINEON IKB10N60T IGBT Single Transistor, 10A, 2.05V, 110W, 600V, TO-263, 3Pins

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB15N60T, Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB15N65EH5, TRENCHSTOPTM 5 high speed switching IGBT copacked with full rated current RAPID 1 anti parallel diode

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB20N60H3ATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(2+Tab) TO-263

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB20N60TAATMA1372, IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB20N60TATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(2+Tab) TO-263

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB20N65EH5, TRENCHSTOPTM 5 high speed switching IGBT copacked with full rated current RAPID 1 anti parallel diode

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB30N65EH5ATMA1, TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB30N65ES5, TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full rated current RAPID 1 fast and soft anti parallel diode

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB40N65EF5, High speed switching series 5th generation

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB40N65EH5, High speed switching series 5th generation

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKB40N65ES5, High speed switching series 5th generation

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 98 99 100 101 102