Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • APT200GN60J, Trans IGBT Chip N-CH 600V 283A 682000mW 4Pin SOT-227

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT200GT60JR, Trans IGBT Chip N-CH 600V 195A 500000mW 4Pin SOT-227

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT20GN60BDQ1G, APT20GN60 Series 600V 40A 120NC 136W 9/140ns Trench IGBT - TO-247-3

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT20GN60BDQ2G, IGBT w/ anti-parallel diodeA

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT20GN60BG, APT20GN60 Series 600V 40A 120NC 136W 9/140ns Trench IGBT - TO-247-3

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT20GN60SDQ2G, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 136000mW 3Pin(2+Tab) D3PAK

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GLQ120JCU2, Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 170000mW

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GN120B2DQ2G, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272000mW 3Pin(3+Tab) T-MAX

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GN120BG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GN120SG/TR, IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN

    Brand Microchip

    
    Подробнее
  • APT25GP120BDQ1G, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GP120BG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GR120B, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GR120BD15, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GR120SD15, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521000mW 3Pin(2+Tab) D3PAK

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GT120BRDQ2G, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT25GT120BRG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT27GA90BD15, Trans IGBT Chip N-CH 900V 48A 223000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT30GN60BDQ2G, Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • APT30GN60BG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

    Brand Microsemi

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 9 10 11 12 13