Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • CRGMF75T120FSC, CRGMF75T120FSC

    Brand Crmicro

    
    Подробнее
  • CT30VM-8#G01,

    Brand Renesas Electronics

    
    Подробнее
  • CT60AM-18F#G02, N-CHANNEL IGBT, 900V, 60A

    Brand Renesas Electronics

    
    Подробнее
  • CY25AAJ-8F-T13#F10,

    Brand Renesas Electronics

    
    Подробнее
  • CY25CAH-8F-T13#F10,

    Brand Renesas Electronics

    
    Подробнее
  • CY25CAJ-8F-T13#G11,

    Brand Renesas Electronics

    
    Подробнее
  • DD1200S12H4, Diode 1.2kV 1.2kA

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD1200S33K2C, Rectifiers 3300V 1200A F/DIODE

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD1200S33KL2C_B5, Diode 3.3kV 1.2kA 4Pin IHM130

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD200S33K2C, 3300V IHV 73mm Diode Module with Emitter Controlled 2 - Diode - The best solution for your traction and industry applications. Predestined to be combined with IGBT products.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD400S33K2C, 3300V IHV 130mm Diode Module with Emitter Controlled 2 - Diode - The best solution for your traction and industry applications. Predestined to be combined with IGBT products.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD400S33KL2C, Diode Schottky 3.3kV 400A 8Pin IHM73

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD600S17K3B2NOSA1, 1700V IHM 130mm Diode Module with AlSiC base-plate and Emitter Controlled 3 - Diode - The best solution for your trac...

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD800S17K3B2NOSA1, 1700V IHM 130mm Diode Module with AlSiC base-plate and Emitter Controlled 3 - Diode - The best solution for your trac...

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD800S17K6CB2NOSA1, 1700V IHM 130mm Diode Module with AlSiC base-plate and Emitter Controlled 2 - Diode - The best solution for your indu...

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DD800S33K2C, 3300V IHV 130mm Diode Module with Emitter Controlled 2 - Diode - The best solution for your traction and industry applications. Predestined to be combined with IGBT products.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DDB2U30N08VR, Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 8Pin EASY750

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DDB2U30N08VRBOMA1307, IGBT MODULE

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DDB6U100N16RR, Trans IGBT Module N-CH 1.6kV 50A 17Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DDB6U104N16RR, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 19Pin ECONO2-7

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 34 35 36 37 38