Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • DF75R12W1H4FB11, Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK™ 1B 1200V chopper IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H2.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF80R07W1H5FP_B11, DF80R07W1H5FP_B11

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF80R12W2H3B11BOMA1, Now, optimised inverter efficiency and performance can be achieved. Fast and solder-less assembly is possible using o...

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF80R12W2H3FB11, IGBT 1200V 80A EasyPACK 2B

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF900R12IP4D, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 900A 10Pin PRIME2-1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF900R12IP4DV, 1200V PrimePACK™2 chopper IGBT module especially developed for CAV applications. Including Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode and NTC

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DGTD120T25S1PT, FIELD STOP IGBT IN TO-247

    Brand Diodes

    
    Подробнее
  • DGTD65T15H2TF, IGBT600V-XITO-220AB

    Brand Diodes

    
    Подробнее
  • EL3120S1(TA)(SAS)-V, EL3120S1(TA)(SAS)-V

    Brand Everlight Electronics

    
    Подробнее
  • F1225R12KT4G, Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 160000mW 38Pin Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L100R07W2E3_B11, Trans IGBT Module N-CH 650V 117A 14Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L100R07W2H3B11BPSA1, Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L100R12W2H3_B11, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 15Pin EASY2B-2

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L11MR12W2M1B65, Cool SiC Trench MOSFET with 3-Level IGBT 18-Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L11MR12W2M1B74BOMA1, Infineon F3L11MR12W2M1B74BOMA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L150R07W2E3_B11, Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 14Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L150R07W2H3B11BPSA1, Infineon F3L150R07W2H3B11BPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L150R12W2H3_B11, EasyPACK™ 2B 1200V 3-level phase leg IGBT module with High Speed IGBT H3, NTC, active "Neutral Point Clamp 2" and PressFIT Contact Technology

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L15R12W2H3_B27, EasyPACK™ 2B 1200V 3-level NPC2 full-bridge IGBT module with NTC, High Speed IGBT H3 and PressFIT Contact Technology

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • F3L200R07PE4, Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 680000mW 20Pin Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 37 38 39 40 41