Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • FF600R12KE7, Infineon FF600R12KE7EHPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12KE7EHPSA1, Infineon FF600R12KE7EHPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12KF4NOSA1, 1200V IHM 130mm Dual IGBT Module with IGBT2 - The best solution for your industry applications | Summary of Features:...

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12KT4HOSA1, 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4, Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3650000mW 11Pin Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4_B72, EconoDUAL™ 3 1200V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4AB11, EconoDUAL™ 3 1200V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology. The module is qualified for the use in commercial and agricultural vehicles (CAV) such as hybrid and full electric busses as well as construction vehicles, according to the relevant tests of LV324.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4B11, IGBT Modules IGBT Module 600A 1200V

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4B73, EconoDUAL™ 3 1200V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4C, Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.06kA 4050000mW Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4CB11, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 1060A 11Pin ECONOD-3

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4CPB11, IGBT MODULE VCES 600V 600A

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4P, EconoDUAL™ 3 1200V dual IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled HE Diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4P_B11, EconoDUAL™ 3 1200V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled HE Diode, NTC, PressFIT Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4PB72, MEDIUM POWER ECONO

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME4WB73BPSA1, Infineon FF600R12ME4WB73BPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME7B11BPSA1, ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R12ME7B11BPSA2, MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-741

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R17KE3, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 900A 10Pin IHM130-2

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF600R17KE3_B2, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 950A 10Pin IHM130-1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 51 52 53 54 55