Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • FF900R12IE4P, 1200V PrimePACK™ 2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12IE4V, 1200V PrimePACK™ 2 dual IGBT module especially developed for CAV applications. Including Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12IE4VP, 1200V PrimePACK™ 2 dual IGBT module especially developed for CAV applications. Including Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode NTC and pre-applied Thermal Interface Material.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12IP4, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 900A 8Pin PRIME2-1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12IP4D, Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10Pin PRIME2 Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12IP4DV, 1200V PrimePACK™2 dual IGBT module especially developed for CAV applications. Including Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12IP4P, 1200V PrimePACK™ 2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12IP4V, Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12ME7B11, IGBT MOD 1200V 900A

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12ME7PB11, FF900R12ME7P_B11

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R12ME7WB11BPSA1, Infineon FF900R12ME7WB11BPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FF900R17ME7B11BPSA1, Infineon FF900R17ME7B11BPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FGA15N120ANTDTU, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • FGA15N120ANTDTU F109, FGA15N120ANTDTU F109

    Brand ON Semiconductor

    
    Подробнее
  • FGA15N120FTDTU, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 220000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • FGA20S120M, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 348000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • FGA20S125P, Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • FGA20S125P-SN00336, Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Tube

    Brand ON Semiconductor

    
    Подробнее
  • FGA25S125P, Trans IGBT Chip N-CH 1.25kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • FGA25S125P-SN00337, Trans IGBT Chip N-CH 1250V 50A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Tube

    Brand ON Semiconductor

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 53 54 55 56 57