Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • FS800R07A2E3B32, FS800R07A2E3_B32

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FS820R08A6P2, FS820R08A6P2

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FS820R08A6P2B, HybridPACK™ Drive module with EDT2 IGBT and Diode is an automotive qualified power module designed for Hybrid- and Electric Vehicle applications. Find appropriate Automotive EiceDRIVER™.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FS820R08A6P2LB, HybridPACK™ Drive module with EDT2 IGBT and Diode is an automotive qualified power module designed for Hybrid- and Electric Vehicle applications. The product derivate FS820R08A6P2LB has long AC power terminals and is well suited for implementation of phase current sensor solutions. Find appropriate Automotive EiceDRIVER™.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FS900R08A2P2_B31, FS900R08A2P2_B31

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FS900R08A2P2_B32, FS900R08A2P2_B32

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FS950R08A6P2B, FS950R08A6P2B

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FSBF15CH60BT-F166, POWER DRIVER MODULE IGBT 600V 15

    Brand ON Semiconductor

    
    Подробнее
  • FT150R12KE3G_B4, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 200A 39Pin ECONO 3

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1000R33HE3, Trans IGBT Module N-CH 3.3kV 1000A 7Pin IHVB130-3

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1000R33HE3B60, FZ1000R33HE3_B60

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1000R33HL3, IGBT Modules N-CH 3.3kV 1kA

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1000R33HL3B60, FZ1000R33HL3_B60

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R12HE4, Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.825kA 7150000mW Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R12HE4P, 1200V IHMB 130mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode - The best solution for your industry applications

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R12HP4, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 1.79kA 7Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R12KE3NOSA1, 1200V IHM 130mm single switch IGBT Module with IGBT3 - The best solution for your industry applications | Summary of ...

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R12KF5NOSA1, Igbt Module 1200V 1200A

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R16KF4S1NOSA1, Trans IGBT Module N-CH

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R17HE4, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 1.2kA

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 79 80 81 82 83