Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • FZ1200R17HE4P, 1700V IHMB 130mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4 - The best solution for your industry applications.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R17HP4, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 1200A 7Pin IHMB130-2

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R17HP4B2, 1700V IHMB 130mm single switch IGBT Module with soft-switching Trench-IGBT4, AlSiC base-plate and enlarged diode - The best solution for your traction and industry applications.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R33HE3, 3300V IHV B 190mm single switch IGBT Module with IGBT3 - The best solution for your medium voltage and drives applications.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R33KF2C, Trans IGBT Module N-CH 3300V 2kA 14500000mW 9Pin IHV190-3 Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R33KF2CS1NOSA1, MODULE DIODE IHV190-3

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R45HL3, Trans IGBT Module N-CH 4500V 1.2kA 15000000mW 9Pin Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1200R45KL3_B5, High insulated 4500V IHV 190mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and isolated AlSiC Base Plate - The best solution for your traction and industry applications

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1400R33HE4, FZ1400R33HE4

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1500R33HE3, Trans IGBT Module N-CH 3300V 1.5kA 14500000mW 9Pin IHVB190 Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1500R33HE3B60, FZ1500R33HE3_B60

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1500R33HE3S6, FZ1500R33HE3_S6

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1500R33HL3, Trans IGBT Module N-CH 3.3kV 1.5kA 9Pin IHVB190

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1500R33HL3B60, FZ1500R33HL3_B60

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1600R12HP4, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 2.4kA 7Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1600R12KE3NOSA1, 1200V IHM 130mm single switch IGBT Module with IGBT3 - The best solution for your industry applications

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1600R17HP4, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 1600A 7Pin IHMB130-2

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1600R17HP4_B2, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 1.6kA 7Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1600R17HP4B21, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 1.6kA 7Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ1600R17KE3, Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 2.3kA 7Pin IHM130

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 80 81 82 83 84