Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • FZ800R12KS4B2, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 1.2kA 7Pin IHM130

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ800R16KF4NOSA1, 1600V IHM 130mm single switch IGBT Module with IGBT2 - The best solution for your traction and industry applications ...

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ800R33KF2C, Trans IGBT Module N-CH 3300V 1.3kA 9600mW 7Pin IHM Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ800R45KL3B5, High insulated 4500V IHV 130mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and isolated AlSiC Base Plate - The best solution for your traction and industry applications

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ825R33HE4DBPSA1, Infineon FZ825R33HE4DBPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ900R12KE4, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 900A 4Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • FZ900R12KP4, Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 4300000mW 4Pin Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • GN2470K4-G, Trans IGBT Chip N-CH 700V 1A 2500mW 3Pin(2+Tab) DPAK

    Brand Microchip

    
    Подробнее
  • GSA100AA60, IGBT MODULE 100A SINGLE 600V LOW

    Brand SanRex

    
    Подробнее
  • GSA75AA120, IGBT MODULE 75A SINGLE 1200V HIG

    Brand SanRex

    
    Подробнее
  • GT15J341,S4X, Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30000mW 3-Pin

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT20J341,S4X(S, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220SIS

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT30J121(Q), Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Sack

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT30J122A(STA1,E,D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 120000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT30J341,Q, Trans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230000mW 3-Pin

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT40QR21(STA1,E,D, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 40A 3Pin(3+Tab) TO-3PN

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT40RR21(STA1,E, IGBT N-Ch 1350V 40A Enhancement TO3PN

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT40WR21,Q, IGBT for soft switching applications

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT50J341,Q, Discrete IGBT

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • GT50JR21(STA1,E,S), Fault-tolerant CAN/LIN fail-safe system basis chip

    Brand Toshiba

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 84 85 86 87 88