Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • HGTD3N60A4S, 17A, 600V, n-Channel Igbt, To-252aa

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • HGTD3N60B3, Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA, PLASTIC PACKAGE-3

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTD3N60B3S, Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC PACKAGE-4

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTD3N60B3S9A, Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC PACKAGE-4

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTD3N60C3, 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTD7N60B3,

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTD7N60B3S,

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTD8P50G1, Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, P-Channel, TO-251AA

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTD8P50G1S, Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, P-Channel, TO-252AA

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTD8P50GIS,

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTG11N120CND, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • HGTG12N60A4, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG12N60A4 IGBT Single Transistor, 54A, 2V, 167W, 600V, TO-247, 3Pins

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • HGTG12N60A4D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • HGTG12N60C3DR, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTG12N60D1D,

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTG12N60DID,

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTG15N120C3,

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • HGTG18N120BN, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 54A 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • HGTG18N120BND, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

    Brand Fairchild

    
    Подробнее
  • HGTG20N100D2, Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

    Brand Harris

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 87 88 89 90 91