Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • IKW15N120T2, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW20N60H3, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW20N60T, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW20N60TA, IGBT 600V 40A 166W TO247-3

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW20N60TFKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW20N65ET7XKSA1, IKW20N65ET7XKSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW25N120CS7XKSA1, Infineon IKW25N120CS7XKSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW25N120H3, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW25N120H3FKSA1, IGBT Single Transistor, 25A, 2.4V, 326W, 1.2kV, TO-247, 3Pins

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW25N120T2, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW25N120T2XK, IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW25T120, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW30N60DTP, The new 600V TRENCHSTOP™ Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP™ IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW30N60H3, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW30N60T, Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW30N60TFKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW30N65EL5XKSA1, Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.1V for 75A IGBT.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW30N65ES5, Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW30N65ET7, IKW30N65ET7XKSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • IKW30N65ET7XKSA1, IKW30N65ET7XKSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 104 105 106 107 108