Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

• • Бренд
    Сбросить поиск

    Выбрать все Alpha & Omega Semiconductor BYD Bourns J.W. Miller Crmicro Diodes Eupec Everlight Electronics FUJI Fairchild Harris IXYS Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil Jilin Sino KEC(Korea Electronics) Littelfuse MagnaChip Micro Commercial Components Microchip Microsemi Mitsubishi Motorola NCE Power NTE Electronics ON Semiconductor Powerex ROHM Semiconductor Renesas Electronics SLKOR SPTECH ST Microelectronics SanRex Sanken Electric Sanyo Semiconductor Semikron Silan Toshiba VISHAY Vishay Semiconductor Xiner YANGJIE
    Automative-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Breakdown Voltage (Gate to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все ±20.0 V
    Halogen Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Halogen Free
    HK STC License
    Сбросить поиск

    Выбрать все NLR
    HTS Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 85412900951
    Industrial-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Medical-Spec
    Сбросить поиск

    Выбрать все Yes
    Junction Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 150 ℃
    REACH SVHC Compliance
    Сбросить поиск

    Выбрать все No SVHC
    Threshold Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 4.5 V
    Forward Current (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 400 A 450 A
    Input Capacitance (Ciss)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3680pF @800V(Vds) 990pF @10V(Vds)
    Isolation Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1500 Vrms 2.50 kV
    Max Forward Surge Current (Ifsm)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 605 A 650 A
    Number of Outputs
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1 2
    Drain to Source Resistance (on) (Rds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0225 Ω 2.50 Ω
    Breakdown Voltage (Drain to Source)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.20 kV 400 V 600 V
    ECCN Code
    Сбросить поиск

    Выбрать все 3A228C EAR99 ECL99
    Gate Charge
    Сбросить поиск

    Выбрать все 126 nC 19.0 nC 53.0 nC
    Lead-Free Status
    Сбросить поиск

    Выбрать все Contains Lead Lead Free PB free
    Output Current
    Сбросить поиск

    Выбрать все 50 A 60 A 85 A
    Drain to Source Voltage (Vds)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.2 kV 240 V 600 V
    Weight
    Сбросить поиск

    Выбрать все 0.0960001099056 kg 0.102240180552 kg 0.608000242476 kg
    Forward Voltage
    Сбросить поиск

    Выбрать все 1.4 V 1.65 V 2.6 V 2.8 V
    Polarity
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N-Channel N-CH N-Channel NPN
    Transistor Gender
    Сбросить поиск

    Выбрать все Dual N Channel Dual NPN N Channel NPN
    Mounting Style
    Сбросить поиск

    Выбрать все Chassis PCB Panel Screw Solder Surface Mount Through Hole
    Operating Temperature (Max)
    Сбросить поиск

    Выбрать все 100 ℃ 110 ℃ 125 ℃ 150 ℃ 170 ℃ 175 ℃ 85 ℃
    Part Family
    Сбросить поиск

    Выбрать все AUIRG4BC30U-S IRG4BC40U IRG4PH50S-E IRG7PH35UD IRG7PH35UD1 IRGP4063 IRGP4066 IRGP4086
• • DF100R07W1H5FP_B54, Easy 650V booster power module with IGBT TRENCHSTOP™ 5, CoolSiC™ Schottky diode Solder Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF120R12W2H3_B27, Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK™ 2B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF1400R12IP4D, Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4kA 7700mW 12Pin PRIME3-1 Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF150R12RT4, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 150A 5Pin 34MM-1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF160R12W2H3FB11, Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK™ 2B 1200V chopper IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF200R07W2H3B77BPSA1, Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF200R12KE3, Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1040000mW 5Pin 62MM Tray

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF200R12PT4B6, IGBT Modules

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF200R12W1H3_B27, Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK™ 1B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF200R12W1H3FB11, Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK™ 1B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3.

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF300R07PE4B6, Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 17Pin

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF300R07W2H3B77BPSA1, Infineon DF300R07W2H3B77BPSA1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF300R12KE3, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 480A 5Pin 62MM-1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF400R07PE4RB6BOSA1, EconoPACK 4 650V three phase chopper IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC | Su...

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF400R12KE3, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 580A 5Pin 62MM

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF450R12N2E4PB11, DF450R12N2E4P_B11

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF600R12IP4D, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 600A 10Pin PRIME2-1

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF600R12IP4DV, IGBT Modules

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF600R12N2E4PB11, DF600R12N2E4P_B11

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • DF650R17IE4, INFINEON DF650R17IE4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 650A, 2V, 4.15kW, 1.7kV, Module

    Brand Infineon

    
    Подробнее
  • Показывать по: 20 50 100 20 50 100
  • 36 37 38 39 40